Type | Description |
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Catégorie | Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
Fabricant | Diodes Incorporated |
Série | - |
État du produit | Obsolete |
Emballage | Bandes et bobines (TR) |
Emballage / Boîte | 8-PowerLDFN |
Type d'installation | Installation en surface |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 2.2W |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
Pack d'équipement du fournisseur | PowerDI3333-8 (Type D) |
Propriétés | Description |
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Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |