Les JFETs - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
MMBF4416A	onsemi	JFET N-CH 35V 15MA SOT23	69000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBF4393LT1G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	35500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ113	onsemi	JFET N-CH 35V SOT23-3	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ177LT1G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ175LT1G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	48000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFU310LT1G	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	12000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ111	onsemi	JFET N-CH 35V SOT23-3	21000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
2SK209-BL(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 14MA SC59	93000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ270	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ176	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	28990	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ201	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	15623	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
MMBFJ108	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	18000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.