Type | Description |
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Catégorie | Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
Fabricant | Diodes Incorporated |
Série | - |
État du produit | Occupé |
Emballage | Bandes et bobines (TR) |
Emballage / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Type d'installation | Installation en surface |
Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25Ohm @ 100mA, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 330mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Pack d'équipement du fournisseur | SOT-23-3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 25 V |
Propriétés | Description |
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Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
quantité | prix unitaire | prix total |
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3000 | $0.15624 | $468.72 |
6000 | $0.14616 | $876.96 |
15000 | $0.13608 | $2041.2 |
30000 | $0.12902 | $3870.6 |
75000 | $0.126 | $9450 |
Quantité minimum de commande:3000 |