Type | Description |
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Catégorie | Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
Fabricant | EPC |
Série | eGaN® |
État du produit | Occupé |
Emballage | Bandes et bobines (TR) |
Emballage / Boîte | Die |
Type d'installation | Installation en surface |
Température de travail | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 1A, 5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Pack d'équipement du fournisseur | Die |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.91 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 50 V |
Propriétés | Description |
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Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0040 |
quantité | prix unitaire | prix total |
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2500 | $0.52318 | $1307.95 |
5000 | $0.49702 | $2485.1 |
12500 | $0.47834 | $5979.25 |
Quantité minimum de commande:2500 |