| Type | Description |
|---|---|
| Catégorie | Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| État du produit | Not For New Designs |
| Emballage | Bandes et bobines (TR) |
| Emballage / Boîte | Die |
| Type d'installation | Installation en surface |
| Température de travail | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 5V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Pack d'équipement du fournisseur | Die |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 50 V |
| Propriétés | Description |
|---|---|
| Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
| Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut REACH | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| quantité | prix unitaire | prix total |
|---|---|---|
| 2500 | $1.82406 | $4560.15 |
| 5000 | $1.75 | $8750 |
| Quantité minimum de commande：2500 | ||
