Type | Description |
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Catégorie | Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
Fabricant | Renesas Electronics Corporation |
Série | - |
État du produit | Obsolete |
Emballage | Bandes et bobines (TR) |
Emballage / Boîte | 20-UFLGA, CSP |
Type d'installation | Installation en surface |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 2.5W (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 5.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 8A, 4.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Pack d'équipement du fournisseur | 20-WLCSP (2.48x1.17) |
Propriétés | Description |
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Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |