| Type | Description |
|---|---|
| Catégorie | Transistors à effet de champ unique, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
| Fabricant | Texas Instruments |
| Série | NexFET™ |
| État du produit | Occupé |
| Emballage | Bandes et bobines (TR) |
| Emballage / Boîte | 6-UFBGA, DSBGA |
| Type d'installation | Installation en surface |
| Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Pack d'équipement du fournisseur | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 6 V |
| Propriétés | Description |
|---|---|
| Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
| Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut REACH | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| quantité | prix unitaire | prix total |
|---|---|---|
| 3000 | $0.17847 | $535.41 |
| 6000 | $0.16695 | $1001.7 |
| 15000 | $0.15544 | $2331.6 |
| 30000 | $0.14738 | $4421.4 |
| Quantité minimum de commande：3000 | ||
