Type | Description |
---|---|
Catégorie | Transistors à effet de champ unique, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
Fabricant | Texas Instruments |
Série | NexFET™ |
État du produit | Occupé |
Emballage | Bandes et bobines (TR) |
Emballage / Boîte | 8-PowerTDFN |
Type d'installation | Installation en surface |
Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 113A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 25A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Pack d'équipement du fournisseur | 8-VSONP (5x6) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 12.5 V |
Propriétés | Description |
---|---|
Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
Sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut REACH | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
quantité | prix unitaire | prix total |
---|---|---|
2500 | $0.60247 | $1506.175 |
5000 | $0.57378 | $2868.9 |
12500 | $0.5473 | $6841.25 |
Quantité minimum de commande:2500 |