| Type | Description |
|---|---|
| Catégorie | Transistors à effet de champ unique, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal |
| Fabricant | Texas Instruments |
| Série | - |
| État du produit | Occupé |
| Emballage | Tube |
| Emballage / Boîte | TO-220-3 |
| Type d'installation | Through Hole |
| Température de travail | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Pack d'équipement du fournisseur | TO-220-3 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 30 V |
| Propriétés | Description |
|---|---|
| Statut ROHS | ROHS3 Compliant |
| Sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable |
| Statut REACH | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| quantité | prix unitaire | prix total |
|---|---|---|
| 1 | $1.3 | $1.3 |
| 10 | $1.162 | $11.62 |
| 100 | $0.906 | $90.6 |
| 500 | $0.7484 | $374.2 |
| 1000 | $0.59085 | $590.85 |
| 2000 | $0.55146 | $1102.92 |
| 5000 | $0.52389 | $2619.45 |
| 10000 | $0.50419 | $5041.9 |
| Quantité minimum de commande：1 | ||
