Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) is a fabless semiconductor company spun out by Prof. Florin Udrea and Dr. Giorgia Longobardi from Cambridge University in 2016 to exploit a revolutionary technology in power devices. Our mission is to shape the future of power electronics by delivering extremely efficient and easy-to-use transistor. CGD designs, develops and commercializes GaN transistors and ICs enabling a radical step change in energy efficiency and compactness and is suitable for high-volume production.

Produits Catégorie

Transistors à effet de champ, transistors à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
CGD65A055S2-T07	Cambridge GaN Devices	650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W	4730	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
CGD65B130S2-T13	Cambridge GaN Devices	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.	9025	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
CGD65A130S2-T13	Cambridge GaN Devices	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.	8229	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
CGD65B200S2-T13	Cambridge GaN Devices	650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.	3273	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails

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