Les JFETs - NTE Electronics, Inc - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

1 / 1 Page，Tout le 5 Conséquences Précédent | Page suivante

Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
NTE466	NTE Electronics, Inc	JFET N-CH 40V TO218	9637	RFQ	Bag	Active	Détails
NTE133	NTE Electronics, Inc	JFET N-CH 25V TO106	3425	RFQ	Bag	Active	Détails
2N4221A	NTE Electronics, Inc	JFET N-CH 30V 15MA TO72	6470	RFQ	Bag	Active	Détails
NTE857M	NTE Electronics, Inc	IC OPAMP JFET 1 CIRC 8MINI DIP	7777	RFQ	Bag	Active	Détails
NTE859	NTE Electronics, Inc	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	3516	RFQ	Bag	Active	Détails

1 / 1 Page，Tout le 5 Conséquences

Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.