Les JFETs - Burr Brown - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
OPA137PA	Burr Brown	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	1738	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
OPA2131PJ	Burr Brown	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	5634	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
OPA4130UAE4	Burr Brown	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	1170	RFQ	Tube	Active	Détails
OPA4137PAG4	Burr Brown	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	5300	RFQ	Bulk	Active	Détails
OPA2132UG4	Burr Brown	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	5710	RFQ	Bulk	Active	Détails
OPA137U	Burr Brown	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	5818	RFQ	Bulk	Active	Détails
OPA4137P	Burr Brown	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	9664	RFQ	Bulk	Active	Détails
OPA4131PA	Burr Brown	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	15413	RFQ	Bulk	Active	Détails
OPA4131NJG4	Burr Brown	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	9326	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
OPA2131PA	Burr Brown	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	3102	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
OPA2137PG4	Burr Brown	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	2497	RFQ	Tube	Obsolete	Détails

1 / 1 Page，Tout le 11 Conséquences

Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.