Les JFETs - National Semiconductor - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
TL082CMX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6335	RFQ	Bulk	Active	Détails
TL082CM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	7240	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF353MX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	23269	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF451CM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	3450	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
LF347N/PB	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	3502	RFQ	Tube	Obsolete	Détails
LF356BH/NOPB	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	2048	RFQ	Bulk	Active	Détails
UA774APC	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14CDIP	5534	RFQ	Bulk	Active	Détails
UA774BDM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14CDIP	4981	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF442ACN	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	9819	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF444CM-NS	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	7097	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF411CH	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	5613	RFQ	Bulk	Active	Détails
LF356BMX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	4519	RFQ	Bulk	Active	Détails

1 / 2 Page，Tout le 21 Conséquences

Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.