Les JFETs - Fairchild Semiconductor - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
FJX597JHTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SC70-3	27997	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
FJZ594JBTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SOT623F	687000	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
FJZ594JCTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SOT623F	1271060	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
PF53012	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 30V TO92-3	6580	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
PN4118	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 40V TO92-3	7826	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
J175	Fairchild Semiconductor	JFET P-CH 30V TO92-3	8793	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
PN5434	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 25V TO92-3	2558	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N5247	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 30V TO92	7000	RFQ	Bulk	Active	Détails
J270	Fairchild Semiconductor	JFET P-CH 30V TO92-3	30404	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
PN4093	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 40V TO92-3	6175	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N5639	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 35V TO92	21885	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N5246	Fairchild Semiconductor	SMALL SIGNAL FET	26973	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.