Les JFETs - Solid State Inc. - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
2N4392	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	2186	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4857	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	7986	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4859A	Solid State Inc.	JFET N-CH 30V TO18	1855	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4860	Solid State Inc.	JFET N-CH 30V TO18	7301	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4856	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	6222	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4859	Solid State Inc.	JFET N-CH 30V TO18	3930	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4393	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	6175	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4856A	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	5081	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4860A	Solid State Inc.	JFET N-CH 30V TO18	9993	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4391	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	6008	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4857A	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	6827	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4858	Solid State Inc.	JFET N-CH 40V TO18	4219	RFQ	Bulk	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.