Les JFETs - Vishay Siliconix - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
2N4117A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	3947	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4117A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	2758	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4117A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	1908	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4118A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6484	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4118A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	5113	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4118A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6448	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4119A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6787	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4119A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	9134	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4119A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6582	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4338	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	7423	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4338-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	4851	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
2N4338-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	8967	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails

1 / 10 Page，Tout le 114 Conséquences

Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.