Les JFETs - Qorvo - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
UF3N170400B7S	Qorvo	JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
UJ3N120035K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 63A TO247-3	1158	RFQ	Tube	Active	Détails
UJ3N120070K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3	5232	RFQ	Tube	Active	Détails
UJ3N120065K3S	Qorvo	JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3	1967	RFQ	Tube	Active	Détails
UJ3N065080K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 32A TO247-3	8457	RFQ	Tube	Active	Détails
UJ3N065025K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 85A TO247-3	3352	RFQ	Tube	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.