Les JFETs - Texas Instruments - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
TL072CDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	47500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
TL072IDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6109	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
TL082IDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	12500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
TL074CDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	110650	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
TL072ACDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	15000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
LF347DR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	35000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
TL072CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	2534	RFQ	Tube	Active	Détails
TL082CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	1742	RFQ	Tube	Active	Détails
LF356N/NOPB	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	20870	RFQ	Tube	Active	Détails
LF353M/NOPB	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	9733	RFQ	Tube	Active	Détails
OPA810IDCKR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT SC70-5	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
LF411CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	10415	RFQ	Tube	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.