Les JFETs - NXP USA Inc. - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
BF556C,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 18MA SOT23	2379	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V TO92-3	6000	RFQ	Bulk	Obsolete	Détails
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V TO92-3	7550	RFQ	Tape & Box (TB)	Obsolete	Détails
PMBFJ308,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V SOT23	4817	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BFT46,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	7043	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BF861C,215	NXP USA Inc.	RF MOSFET N-CH JFET TO236AB	5969	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BFR30,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	5205	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BFR30,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	5762	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BF513,215	NXP USA Inc.	RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB	3906	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BF556A,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	4606	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
BF556A,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	7939	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails
PMBFJ111,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V SOT23	7767	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.