Les JFETs - InterFET - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
IF170DST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	30000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IF170AST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	30000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IF170BST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IF170CST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IF4500ST3TR	InterFET	JFET N-Channel -20V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IF170BST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Détails
IF170CST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Détails
IF170DST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Détails
IF170AST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Détails
IF4500ST3	InterFET	JFET N-Channel -20V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Détails
IFN201ST3TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IFN201AST3TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.