Les JFETs - Microchip Technology - Distributeur de composants électroniques

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
2N3823	Microchip Technology	JFET N-CH 30V TO72	7870	RFQ	Bulk	Active	Détails
2N4416A	Microchip Technology	JFET N-CH 35V TO72	4512	RFQ	Bulk	Active	Détails
MQ2N4091	Microchip Technology	JFET N-CH 40V TO18	3600	RFQ	Bulk	Active	Détails
MQ2N4092	Microchip Technology	JFET N-CH 40V TO18	8758	RFQ	Bulk	Active	Détails
MV2N5114	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	5517	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N5116	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	3770	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N5115	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	5176	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N4856UB	Microchip Technology	JFET N-CH	5405	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N4857UB	Microchip Technology	JFET N-CH	4887	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N4858UB	Microchip Technology	JFET N-CH	6642	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N4860UB	Microchip Technology	JFET N-CH	2344	RFQ	Bulk	Active	Détails
MX2N4859UB	Microchip Technology	JFET N-CH	1898	RFQ	Bulk	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.